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RF4E080BNTR  与  PMPB25ENEX  区别

型号 RF4E080BNTR PMPB25ENEX
唯样编号 A-RF4E080BNTR A-PMPB25ENEX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 8A, 17.6 MOHM, PQFN 2X2 MOSFET DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ@8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.1W
输出电容 - 113pF
栅极电压Vgs ±20V 20V,1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HUML SOT1220
工作温度 150°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 8A 10A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V -
输入电容 - 607pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 32mΩ@4.5V,24mΩ@10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.5302
100+ :  ¥3.1356
1,500+ :  ¥1.988
3,000+ :  ¥1.481
590+ :  ¥1.7993
1,000+ :  ¥1.3948
1,500+ :  ¥1.1433
3,000+ :  ¥1.0489
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML

¥5.5302 

阶梯数 价格
1: ¥5.5302
100: ¥3.1356
1,500: ¥1.988
3,000: ¥1.481
100 当前型号
PMPB25ENEX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB25ENE_SOT1220

¥1.7993 

阶梯数 价格
590: ¥1.7993
1,000: ¥1.3948
1,500: ¥1.1433
3,000: ¥1.0489
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