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RF4E080GNTR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4E080GNTR PMEG4010CEAX
唯样编号 A-RF4E080GNTR A-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 肖特基(SBD)二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 40V
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ -
上升时间 3.6ns -
Qg-栅极电荷 5.8nC -
栅极电压Vgs 2.5V -
正向跨导 - 最小值 5S -
封装/外壳 DFN2020-8 SOD-323
连续漏极电流Id 8A -
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
配置 Single -
下降时间 2.4ns -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
典型关闭延迟时间 17.3ns -
FET类型 N-Channel -
反向漏电流Ir - 8uA
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
正向浪涌电流Ifsm - 8A
二极管电容 - 24pF@VR=1V
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 100 2
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥4.7619
100+ :  ¥2.7524
1,500+ :  ¥1.745
3,000+ :  ¥1.2616
570+ :  ¥0.4558
1,000+ :  ¥0.3533
1,500+ :  ¥0.2896
3,000+ :  ¥0.2563
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥4.7619 

阶梯数 价格
1: ¥4.7619
100: ¥2.7524
1,500: ¥1.745
3,000: ¥1.2616
100 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 肖特基(SBD)二极管

PMEG4010CEA_SOD-323

¥0.4558 

阶梯数 价格
570: ¥0.4558
1,000: ¥0.3533
1,500: ¥0.2896
3,000: ¥0.2563
2 对比
SSM6K514NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

6-UDFNB(2x2)

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.7838 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.7838
2,500: ¥1.4621
5,000: ¥1.3414
0 对比
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

U-DFN3030-8

暂无价格 0 对比
PMPB100ENEX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB100ENE_SOT1220

¥1.4727 

阶梯数 价格
580: ¥1.4727
1,000: ¥1.1416
1,500: ¥0.9357
3,000: ¥0.843
0 对比

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