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RF4E110GNTR  与  SSM6K411TU(TE85L,F  区别

型号 RF4E110GNTR SSM6K411TU(TE85L,F
唯样编号 A-RF4E110GNTR A-SSM6K411TU(TE85L,F
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 10A UF6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.3mΩ@11A,10V -
上升时间 5.5ns -
Qg-栅极电荷 7.4nC -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 710 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1.2V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 6S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.4 nC @ 4.5 V
封装/外壳 DFN2020-8 UF6
连续漏极电流Id 11A 10A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
配置 Single -
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
下降时间 3ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 20 V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12 毫欧 @ 7A,4.5V
典型关闭延迟时间 21ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RF4E110GN -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 88 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.5573
100+ :  ¥3.2121
1,500+ :  ¥2.0365
3,000+ :  ¥1.4724
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥5.5573 

阶梯数 价格
1: ¥5.5573
100: ¥3.2121
1,500: ¥2.0365
3,000: ¥1.4724
88 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 肖特基(SBD)二极管

PMEG4010CEA_SOD-323

¥0.4558 

阶梯数 价格
570: ¥0.4558
1,000: ¥0.3533
1,500: ¥0.2896
3,000: ¥0.2563
2 对比
SSM6K514NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.7838 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.7838
2,500: ¥1.4621
5,000: ¥1.3414
0 对比
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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