首页 > 商品目录 > > > > RF4P060BGTCR代替型号比较

RF4P060BGTCR  与  SSM6K341NU,LF  区别

型号 RF4P060BGTCR SSM6K341NU,LF
唯样编号 A-RF4P060BGTCR A-SSM6K341NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 36 毫欧 @ 4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 550 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.5V @ 100uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.3 nC @ 10 V
封装/外壳 HUML2020L8 (Single) 6-UDFNB(2x2)
工作温度 - 150°C
连续漏极电流Id - 6A(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8(Single)

暂无价格 0 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 肖特基(SBD)二极管

PMEG4010CEA_SOD-323

¥0.4558 

阶梯数 价格
570: ¥0.4558
1,000: ¥0.3533
1,500: ¥0.2896
3,000: ¥0.2563
15,002 对比
SSM6K341NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

6-UDFNB(2x2)

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.7838 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.7838
2,500: ¥1.4621
5,000: ¥1.3414
0 对比
PMPB95ENEAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB95ENEA_SOT1220

¥2.3794 

阶梯数 价格
10: ¥2.3794
100: ¥1.7625
1,000: ¥1.3663
1,500: ¥1.1199
3,000: ¥1.0274
5,124 对比
BUK6D385-100EX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6D385-100E_SOT1220

¥2.1168 

阶梯数 价格
10: ¥2.1168
100: ¥1.568
1,000: ¥1.2155
1,500: ¥0.9963
3,000: ¥0.8976
58 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售