尊敬的客户:五一劳动节5-1至5-3我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > RGS80TSX2HRC11代替型号比较

RGS80TSX2HRC11  与  RGS80TSX2GC11  区别

型号 RGS80TSX2HRC11 RGS80TSX2GC11
唯样编号 A-RGS80TSX2HRC11 A3-RGS80TSX2GC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 通用MOSFET
描述 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 120A 120 A
栅极电荷 104nC 104 nC
功率 - 555 W
功率-最大值 555W -
输入类型 标准 标准
IGBT类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 49ns/199ns 49ns/199ns
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A 80 A
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,40A 2.1V @ 15V,40A
电压-集射极击穿(最大值) 1200V 1200 V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 3mJ(开),3.1mJ(关) 3mJ(开),3.1mJ(关)
测试条件 600V,40A,10 欧姆,15V 600V,40A,10 欧姆,15V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGS80TSX2HRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-247-3

¥15.4991 

阶梯数 价格
450: ¥15.4991
2,250 对比
RGS80TSX2DGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 277 对比
RGS80TSX2GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 30 对比
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-247-3

¥15.4991 

阶梯数 价格
450: ¥15.4991
0 对比
RGS80TSX2DGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售