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RGTH60TK65GC11  与  RGTH60TK65DGC11  区别

型号 RGTH60TK65GC11 RGTH60TK65DGC11
唯样编号 A-RGTH60TK65GC11 A-RGTH60TK65DGC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT IGBT
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 120A 120A
栅极电荷 58nC 58nC
功率-最大值 61W 61W
输入类型 标准 标准
IGBT类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 27ns/105ns 27ns/105ns
电流-集电极(Ic)(最大值) 28A 28A
封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM,SC-93-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,30A 2.1V @ 15V,30A
电压-集射极击穿(最大值) 650V 650V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) - 58ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGTH60TK65GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-3PFM,SC-93-3

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RGTH60TK65DGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-3PFM,SC-93-3

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