RGTH60TK65GC11 与 RGTH60TK65DGC11 区别
| 型号 | RGTH60TK65GC11 | RGTH60TK65DGC11 | ||||||
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| 唯样编号 | A-RGTH60TK65GC11 | A33-RGTH60TK65DGC11 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 120A | 120A | ||||||
| 栅极电荷 | 58nC | 58nC | ||||||
| 功率-最大值 | 61W | 61W | ||||||
| 输入类型 | 标准 | 标准 | ||||||
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 | ||||||
| 25°C时Td(开/关)值 | 27ns/105ns | 27ns/105ns | ||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 28A | 28A | ||||||
| 封装/外壳 | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM,SC-93-3 | ||||||
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,30A | 2.1V @ 15V,30A | ||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V | 650V | ||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||||||
| 测试条件 | 400V,30A,10 欧姆,15V | 400V,30A,10 欧姆,15V | ||||||
| 反向恢复时间(trr) | - | 58ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 30 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RGTH60TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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RGTH60TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥42.0285
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30 | 对比 | ||||||||
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RGTH60TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||
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RGTH60TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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