RK7002BMT116 与 DMN63D1L-13 区别
| 型号 | RK7002BMT116 | DMN63D1L-13 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-RK7002BMT116 | A36-DMN63D1L-13 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4Ω@250mA,10V | - | ||||||||||||
| 上升时间 | 5 ns | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 200mW(Ta) | 370mW(Ta) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 2Ω@500mA,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 30 pF @ 25 V | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 0.3 nC @ 4.5 V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.25A | 380mA(Ta) | ||||||||||||
| 系列 | RK | - | ||||||||||||
| 通道数量 | 1 Channel | - | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 驱动电压 | - | 5V,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 15pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | - | ||||||||||||
| 下降时间 | 28 ns | - | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.5 ns | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 13,626 | 8,779 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
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