RQ3E075ATTB 与 AONS21321 区别
| 型号 | RQ3E075ATTB | AONS21321 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RQ3E075ATTB | A-AONS21321 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 15W(Tc) | 24.5W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | HSMT | DFN 5x6 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 7.5A | -24A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 930pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.4nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 23mΩ@7.5A,10V | 16.5mΩ@-20A,-10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 95 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ3E075ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 15W(Tc) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) HSMT P-Channel 30V 7.5A |
￥11.1715
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95 | 当前型号 | ||||||||||
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AON7403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -29A 25W 18mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AONS21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 P-Channel -30V ±25V -24A 24.5W 16.5mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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