首页 > 商品目录 > > > > RQ3E075ATTB代替型号比较

RQ3E075ATTB  与  AONS21321  区别

型号 RQ3E075ATTB AONS21321
唯样编号 A-RQ3E075ATTB A-AONS21321
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V 16.5mΩ@-20A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 15W(Tc) 24.5W
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 HSMT DFN 5x6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 7.5A -24A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.4nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 95 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥11.1715
100+ :  ¥6.4571
1,500+ :  ¥4.0938
3,000+ :  ¥2.9598
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥11.1715 

阶梯数 价格
1: ¥11.1715
100: ¥6.4571
1,500: ¥4.0938
3,000: ¥2.9598
95 当前型号
AON7403 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
DMP3035SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
AONS21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售