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RQ3E080BNTB  与  DMS3014SFG-7  区别

型号 RQ3E080BNTB DMS3014SFG-7
唯样编号 A-RQ3E080BNTB A-DMS3014SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.2mΩ@8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 13mΩ@10.4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4310 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 45.7 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 8A(Ta) 9.5A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 1.8V,4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,745 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.7923
100+ :  ¥2.77
1,500+ :  ¥1.7562
3,000+ :  ¥1.2697
暂无价格
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¥4.7923 

阶梯数 价格
1: ¥4.7923
100: ¥2.77
1,500: ¥1.7562
3,000: ¥1.2697
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