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RQ3E080BNTB  与  IRFHM8342TRPBF  区别

型号 RQ3E080BNTB IRFHM8342TRPBF
唯样编号 A-RQ3E080BNTB A-IRFHM8342TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 16 mO 5 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.2mΩ@8A,10V 16mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.6W(Ta),20W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
连续漏极电流Id 8A(Ta) 10A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V 560pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V 7.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,745 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.7923
100+ :  ¥2.77
1,500+ :  ¥1.7562
3,000+ :  ¥1.2697
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 8A(Ta) ±20V 2W(Ta) 15.2mΩ@8A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥4.7923 

阶梯数 价格
1: ¥4.7923
100: ¥2.77
1,500: ¥1.7562
3,000: ¥1.2697
2,745 当前型号
IRFH3707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRFHM9391TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

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AON7414 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 20A 15.5W 15mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比

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