RQ3E080BNTB 与 AON7408 区别
| 型号 | RQ3E080BNTB | AON7408 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RQ3E080BNTB | A36-AON7408-2 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 41 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.2mΩ@8A,10V | 20mΩ@10V | ||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 32mΩ | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 1.6 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 4.3 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | DFN 3x3 EP | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A(Ta) | 18A | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 373 | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 660pF @ 15V | - | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 10.5 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 15.8 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 11W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 4.5 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 2.6 | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14.5nC @ 10V | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 67 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.1 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,745 | 734 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RQ3E080BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 8A(Ta) ±20V 2W(Ta) 15.2mΩ@8A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
¥4.7923
|
2,745 | 当前型号 | ||||||||||||
|
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
¥1.0384
|
5,957 | 对比 | ||||||||||||
|
AON7430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥1.353
|
3,375 | 对比 | ||||||||||||
|
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
¥0.5748
|
734 | 对比 | ||||||||||||
|
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||
|
IRFH3707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |