RQ3E080GNTB 与 AON7406 区别
| 型号 | RQ3E080GNTB | AON7406 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RQ3E080GNTB | A-AON7406 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16.7mΩ@8A,10V | 17mΩ@10V | ||
| 上升时间 | 3.6ns | - | ||
| ESD Diode | - | No | ||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ | ||
| Qg-栅极电荷 | 5.8nC | - | ||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 7S | - | ||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | DFN 3x3 EP | ||
| 连续漏极电流Id | 8A | 25A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||
| 下降时间 | 2.4ns | - | ||
| Schottky Diode | - | No | ||
| Trr(ns) | - | 8 | ||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 15.5W | ||
| Qrr(nC) | - | 18 | ||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||
| 典型关闭延迟时间 | 17.3ns | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 6.9ns | - | ||
| Coss(pF) | - | 110 | ||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ3E080GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥0.9679
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0 | 当前型号 | ||||
|
AON7410 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||
|
|
AON7406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 25A 15.5W 17mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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