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RQ3E080GNTB  与  DMN3018SFGQ-13  区别

型号 RQ3E080GNTB DMN3018SFGQ-13
唯样编号 A-RQ3E080GNTB A-DMN3018SFGQ-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V -
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1W(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 21mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 697 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 7S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 13.2 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 8A 8.5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
460+ :  ¥2.1116
1,500+ :  ¥1.3388
3,000+ :  ¥0.9679
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.1116 

阶梯数 价格
460: ¥2.1116
1,500: ¥1.3388
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