首页 > 商品目录 > > > > RQ3E100GNTB代替型号比较

RQ3E100GNTB  与  DMG7430LFG-7  区别

型号 RQ3E100GNTB DMG7430LFG-7
唯样编号 A-RQ3E100GNTB A3-DMG7430LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ 11mΩ
上升时间 4.3ns 21.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.2W
Qg-栅极电荷 7.9nC 26.7nC
栅极电压Vgs 2.5V 2.5V
典型关闭延迟时间 22.4ns 22.3ns
正向跨导 - 最小值 8S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI
连续漏极电流Id 10A 10.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single SingleTripleSourceQuadDrain
系列 - DMG7430
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1281pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 3.1ns 5.1ns
典型接通延迟时间 8.4ns 5.2ns
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.1656
100+ :  ¥2.4077
1,500+ :  ¥1.5265
3,000+ :  ¥1.1036
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥4.1656 

阶梯数 价格
1: ¥4.1656
100: ¥2.4077
1,500: ¥1.5265
3,000: ¥1.1036
100 当前型号
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比
NTTFS4929NTAG ON Semiconductor 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比
NTTFS4929NTWG ON Semiconductor 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
AON6204 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售