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RQ3E120ATTB  与  DMG7401SFG-7  区别

型号 RQ3E120ATTB DMG7401SFG-7
唯样编号 A-RQ3E120ATTB A-DMG7401SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 -30V 9.8A 13mO P-ch POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 2.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@-12A,-10V 11mΩ@12A,20V
上升时间 30ns -
漏源极电压Vds 39V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 940mW(Ta)
Qg-栅极电荷 62nC -
栅极电压Vgs ±20V ±25V
典型关闭延迟时间 140ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 HSMT PowerDI
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A 9.8A
系列 RQ -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V 2987pF @ 15V
长度 3mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V 58nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,20V
下降时间 95ns -
典型接通延迟时间 20ns -
高度 0.85mm -
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.9019
100+ :  ¥3.1516
3,000+ :  ¥2.2786
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥5.9019 

阶梯数 价格
1: ¥5.9019
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