RQ3E180AJTB 与 RQ3E180AJTB1 区别
| 型号 | RQ3E180AJTB | RQ3E180AJTB1 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-RQ3E180AJTB | A33-RQ3E180AJTB1-1 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta),30W(Tc) | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 18A(Ta),30A(Tc) | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 11mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4290pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 4.5mΩ@18A,4.5V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 4.5V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,910 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
￥2.6442
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
￥0.6661
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10,556 | 对比 | ||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.436
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4,345 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥7.4111
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3,000 | 对比 | |||||||||||||
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RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥3.4401
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2,910 | 对比 | |||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥1.968
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2,158 | 对比 |
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