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RQ3E180BNTB  与  AON7422E  区别

型号 RQ3E180BNTB AON7422E
唯样编号 A-RQ3E180BNTB A-AON7422E
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 220
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@18A,10V 4.3mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 6mΩ
Qgd(nC) - 6.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 39A(Tc) 40A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 2445
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 17.5
Td(off)(ns) - 41.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),20W(Tc) 36W
Qrr(nC) - 31
VGS(th) - 1.85
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 390
Qg*(nC) - 19
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.3896
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥1.3896 

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3,000: ¥1.3896
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阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
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