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RQ3G100GNTB  与  DMN4010LFG-13  区别

型号 RQ3G100GNTB DMN4010LFG-13
唯样编号 A-RQ3G100GNTB A-DMN4010LFG-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.3mΩ@10A,10V -
上升时间 4.2ns -
Qg-栅极电荷 8.4nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1810 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT PowerDI3333-8
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 10A 11.5A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 3.2ns -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2W 930mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@14A,10V
典型关闭延迟时间 23.1ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RQ -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 615pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.4nC @ 10V -
典型接通延迟时间 8ns -
库存与单价
库存 17 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.8334
100+ :  ¥2.047
3,000+ :  ¥1.48
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥3.8334 

阶梯数 价格
1: ¥3.8334
100: ¥2.047
3,000: ¥1.48
17 当前型号
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