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RQ3G110ATTB  与  NVTFS052P04M8LTAG  区别

型号 RQ3G110ATTB NVTFS052P04M8LTAG
唯样编号 A-RQ3G110ATTB A-NVTFS052P04M8LTAG
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.4mΩ@11A,10V -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds 40 V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2750 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-WDFN(3.3x3.3)
连续漏极电流Id 11A(Ta),35A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 46 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥8.6656
100+ :  ¥5.494
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