首页 > 商品目录 > > > > RQ3L070ATTB代替型号比较

RQ3L070ATTB  与  NVTFS5116PLTAG  区别

型号 RQ3L070ATTB NVTFS5116PLTAG
唯样编号 A-RQ3L070ATTB A3-NVTFS5116PLTAG
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2W(Ta) -
功率 - 3.2W(Ta),21W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 52 毫欧 @ 7A,10V
漏源极电压Vds - 60V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2850 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN WDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1258pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 7A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1,000+ :  ¥4.5322
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3L070ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥4.5322 

阶梯数 价格
1,000: ¥4.5322
0 当前型号
NVTFS5116PLTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
NVTFS5124PLTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor 功率MOSFET

WDFN

暂无价格 0 对比
NVTFS5124PLTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor 功率MOSFET

WDFN

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售