首页 > 商品目录 > > > > RQ5E025TNTL代替型号比较

RQ5E025TNTL  与  RTR025N03TL  区别

型号 RQ5E025TNTL RTR025N03TL
唯样编号 A-RQ5E025TNTL A3x-RTR025N03TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 92mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 15 ns
栅极电压Vgs 1.5V@1mA 12V
封装/外壳 SC-96 TSMT
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 2.5A
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 2.9 mm
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
下降时间 - 10 ns
高度 - 0.85 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 92mOhms@2.5A,4.5V -
典型关闭延迟时间 - 25 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - RTR
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 220pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
栅极电荷Qg 4.6nC@4.5V -
典型接通延迟时间 - 9 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ5E025TNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SC-96

暂无价格 0 当前型号
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 对比
RTR025N03HZGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SC-96

¥0.7322 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.7322
0 对比
RTR025N03HZGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SC-96

¥0.7322 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.7322
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售