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RQ6E035TNTR  与  QS8K2TR  区别

型号 RQ6E035TNTR QS8K2TR
唯样编号 A-RQ6E035TNTR A-QS8K2TR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 1.25W
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 54mOhms@3.5A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 285pF @ 10V
栅极电压Vgs 1.5V@1mA -
FET类型 N-Channel 2 N-通道(双)
封装/外壳 TSOT-23-6 TSMT8
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) -
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 54 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Vgs(最大值) ±12V -
栅极电荷Qg 6.4nC@4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E035TNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6

暂无价格 0 当前型号
QS8K2TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT8

暂无价格 0 对比
RTQ035N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6

暂无价格 0 对比

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