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RQ6E045BNTCR  与  RQ6E045BNTCR  区别

型号 RQ6E045BNTCR RQ6E045BNTCR
唯样编号 A-RQ6E045BNTCR A3-RQ6E045BNTCR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@4.5A,10V 30mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-6 SOT-23-6
连续漏极电流Id 4.5A(Ta) 4.5A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V 330pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.4nC @ 10V 8.4nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.6017
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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