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RQ6E045SNTR  与  RSQ045N03HZGTR  区别

型号 RQ6E045SNTR RSQ045N03HZGTR
唯样编号 A-RQ6E045SNTR A-RSQ045N03HZGTR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 950mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 38mOhms@4.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 10V
栅极电压Vgs 2.5V@1mA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 4.5A(Ta) -
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 38 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg 9.5nC@5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.5nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E045SNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6

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RSQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

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