RQ7E055ATTCR 与 AON4421 区别
| 型号 | RQ7E055ATTCR | AON4421 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RQ7E055ATTCR | A-AON4421 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 120 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24.5mΩ@5.5A,10V | 26mΩ@10V | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 34mΩ | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 3.4 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 6 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SMD | DFN 3x2 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.5A(Tc) | -8A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 930 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 860pF @ 15V | - | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 18 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 40 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W(Tc) | 2.5W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 32 | ||||||||
| VGS(th) | - | -1.8 | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18.8nC @ 10V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 170 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 8.6 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 80 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ7E055ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 5.5A(Tc) ±20V 1.5W(Tc) 24.5mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SMD |
￥10.2307
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80 | 当前型号 | ||||||||||
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AON4421 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x2 P-Channel -30V 20V -8A 2.5W 26mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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