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RRF015P03TL  与  RRF015P03GTL  区别

型号 RRF015P03TL RRF015P03GTL
唯样编号 A-RRF015P03TL A-RRF015P03GTL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 RRF015P03 Series -30 V -1.5 A 160 mOhm Surface Mount Power MOSFET - TUMT-3 MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 320mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 160mΩ@1.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 230pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 TUMT TUMT3
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.5A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 230pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.4nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 160 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 6.4nC @ 10V
库存与单价
库存 98 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.7625
100+ :  ¥2.1748
1,500+ :  ¥1.3788
3,000+ :  ¥0.9969
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRF015P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥3.7625 

阶梯数 价格
1: ¥3.7625
100: ¥2.1748
1,500: ¥1.3788
3,000: ¥0.9969
98 当前型号
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

UFM

暂无价格 0 对比
RRF015P03GTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TUMT3

暂无价格 0 对比

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