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RRH100P03GZETB  与  IRF9388TRPBF  区别

型号 RRH100P03GZETB IRF9388TRPBF
唯样编号 A-RRH100P03GZETB A-IRF9388TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 650mW(Ta) 2.5W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 10A(Ta) 12A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1680pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 10V,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 10V 1680pF @ 25V
导通电阻Rds(On) 12.6mΩ@10A,10V 8.5mΩ@12A,20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V 52nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRH100P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel

暂无价格 2,500 对比
RRH100P03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 8-SOP

¥6.7697 

阶梯数 价格
100: ¥6.7697
500: ¥6.2708
1,000: ¥5.7722
2,500: ¥4.8458
2,500 对比
AOSP21307 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C

¥1.548 

阶梯数 价格
40: ¥1.548
100: ¥1.236
750: ¥1.104
1,500: ¥1.0416
2,449 对比
IRF9328TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF9388TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@12A,20V P-Channel 30V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比

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