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RS1E150GNTB  与  IRFH7914TRPBF  区别

型号 RS1E150GNTB IRFH7914TRPBF
唯样编号 A-RS1E150GNTB A-IRFH7914TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET Power Mosfet SMT - PQFN-5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@15A,10V 8.7mΩ@14A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),22.9W(Tc) 3.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(5x6)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A(Ta) 15A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1160pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 590pF @ 15V 1160pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V 12nC @ 4.5V
库存与单价
库存 92 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.2394
100+ :  ¥3.6064
1,250+ :  ¥2.2865
2,500+ :  ¥1.6531
暂无价格
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1,250: ¥2.2865
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