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RS6L090BGTB1  与  SIR4608LDP-T1-GE3  区别

型号 RS6L090BGTB1 SIR4608LDP-T1-GE3
唯样编号 A-RS6L090BGTB1 A-SIR4608LDP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 90A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 73W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 99 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥12.884
100+ :  ¥6.442
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