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RS6L090BGTB1  与  IRF7855TRPBF  区别

型号 RS6L090BGTB1 IRF7855TRPBF
唯样编号 A-RS6L090BGTB1 A-IRF7855TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@90A,10V 9.4mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 73W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SO
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A 12A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC
库存与单价
库存 99 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥12.884
100+ :  ¥6.442
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
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