RS6N120BHTB1 与 SIR5802DP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6N120BHTB1 | SIR5802DP-T1-RE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RS6N120BHTB1 | A-SIR5802DP-T1-RE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | HSOP8 | SOT669 |
| 功率耗散Pd | 104W | - |
| 连续漏极电流Id | ±135A | - |
| 漏源极电压Vds | 80V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 3.3m Ohms | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
NTMFS6H818NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 100,000 | 对比 |
|
SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
NTMFS6H818NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.7mΩ@20A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 123A 80V 136W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 5.5 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
