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RSD050N10TL  与  IRFR120ZPBF  区别

型号 RSD050N10TL IRFR120ZPBF
唯样编号 A-RSD050N10TL A-IRFR120ZPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 Single N-Channel 100 V 35 W 6.9 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 15W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ@5.2A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 CPT3 D-Pak
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8.7A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 310pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 35W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

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