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RSD140P06TL  与  RD3L140SPFRATL  区别

型号 RSD140P06TL RD3L140SPFRATL
唯样编号 A-RSD140P06TL A-RD3L140SPFRATL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 84mΩ
漏源极电压Vds - -60V
Pd-功率耗散(Max) - 20W
Qg-栅极电荷 - 27 nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 P 通道 -
封装/外壳 CPT3 TO-252-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 14A
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 84 毫欧 @ 14A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 14A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 0 当前型号
RD3L140SPFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥2.4584 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.4584
12,500 对比
RD3L140SPFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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