RSD175N10TL 与 RD3P175SNFRATL 区别
| 型号 | RSD175N10TL | RD3P175SNFRATL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RSD175N10TL | A-RD3P175SNFRATL |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 20W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 105mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 20W |
| Qg-栅极电荷 | - | 24 nC |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 950pF @ 25V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| FET类型 | N 通道 | - |
| 封装/外壳 | CPT3 | TO-252-3 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 17.5A |
| 通道数量 | - | 1 Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 105 毫欧 @ 8.8A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 17.5A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 24nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RSD175N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RD3P175SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 100V 17.5A 105mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥8.423
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2,298 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3P175SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 100V 17.5A 105mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥8.423
|
761 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
￥1.1633
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283 | 对比 | ||||||||||||||
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IRLR3410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) 105mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3P175SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 100V 17.5A 105mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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