RSD201N10TL 与 BUK7240-100A,118 区别
| 型号 | RSD201N10TL | BUK7240-100A,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RSD201N10TL | A-BUK7240-100A,118 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 850mW(Ta),20W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 114W |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2100pF @ 25V | - |
| 输出电容 | - | 216pF |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 封装/外壳 | CPT3 | SOT428 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 34A |
| 输入电容 | - | 1720pF |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 46 毫欧 @ 20A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 20A(Tc) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 40mΩ@25A,10V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 55nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RSD201N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDD3860 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.2A(Ta) ±20V 3.1W(Ta),69W(Tc) 36m Ohms@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 100V 6.2A TO-252AA |
暂无价格 | 67,500 | 对比 |
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BUK7240-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 114W -55°C~175°C ±20V 100V 34A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOD2916 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 25A 50W 34mΩ@10A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BUK9240-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 114W 175°C 1.5V 100V 33A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOD482 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 32A 100W 37mΩ@10A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |