RSD221N06TL 与 IRLR2905PBF 区别
| 型号 | RSD221N06TL | IRLR2905PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RSD221N06TL | A-IRLR2905PBF |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 | Single N-Channel 55 V 110 W 48 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 850mW(Ta),20W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 27mΩ@25A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 110W(Tc) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1500pF @ 10V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 封装/外壳 | CPT3 | D-Pak |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 42A |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 26 毫欧 @ 22A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 22A(Tc) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 5V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 30nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLR2905PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 55V 42A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRLR2905TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 27mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK9237-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 77W 175°C 1.5V 55V 32A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
