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RSJ250P10TL  与  IRF5210SPBF  区别

型号 RSJ250P10TL IRF5210SPBF
唯样编号 A-RSJ250P10TL A-IRF5210SPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@-25A,-10V 60mΩ@38A,10V
上升时间 67ns -
漏源极电压Vds -100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 50W 3.1W(Ta),170W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 310ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 25A 38A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 RSJ250P10 HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2780pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 180ns -
典型接通延迟时间 30ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2780pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥19.514
100+ :  ¥11.2791
1,000+ :  ¥7.151
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ250P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3

¥19.514 

阶梯数 价格
1: ¥19.514
100: ¥11.2791
1,000: ¥7.151
90 当前型号
IRF5210SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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