首页 > 商品目录 > > > > RSJ400N06FRATL代替型号比较

RSJ400N06FRATL  与  IRFZ44VZSPBF  区别

型号 RSJ400N06FRATL IRFZ44VZSPBF
唯样编号 A-RSJ400N06FRATL A-IRFZ44VZSPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ 12mΩ
上升时间 60ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 52nC -
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 1V -
封装/外壳 D2PAK-3 -
连续漏极电流Id 40A,40A 57A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
配置 Single -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
下降时间 140ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 35 ns
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 50W 92W
晶体管配置 -
典型关闭延迟时间 90ns -
通道数量 1Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 20ns 14 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.777 

阶梯数 价格
7: ¥7.777
100: ¥6.6
1,000: ¥6.369
1,000 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
IRFZ44VZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 57A 12mΩ 92W

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消