尊敬的客户:五一劳动节5-1至5-3我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > RSJ550N10TL代替型号比较

RSJ550N10TL  与  IRL2910SPBF  区别

型号 RSJ550N10TL IRL2910SPBF
唯样编号 A-RSJ550N10TL A-IRL2910SPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.8mΩ@27.5A,10V 26mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id 55A 55A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3700pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 49 ns
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 100W 3.8W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 5V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥28.3114
100+ :  ¥16.364
1,000+ :  ¥10.3748
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ550N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥28.3114 

阶梯数 价格
1: ¥28.3114
100: ¥16.364
1,000: ¥10.3748
100 当前型号
BUK9620-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9620-100B_SOT404

¥11.5948 

阶梯数 价格
210: ¥11.5948
400: ¥9.8261
800: ¥9.0148
0 对比
IRF3710STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRF3710ZS Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL2910SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 对比
IRF3710ZS Infineon  数据手册 通用MOSFET

D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售