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RSJ650N10TL  与  IRLS4030TRLPBF  区别

型号 RSJ650N10TL IRLS4030TRLPBF
唯样编号 A-RSJ650N10TL A-IRLS4030TRLPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@32.5A,10V 4.3mΩ@110A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 100W 370W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 65A 180A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 RSJ650N10 HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
库存与单价
库存 998 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥45.4704
100+ :  ¥26.2819
1,000+ :  ¥16.6627
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥45.4704 

阶梯数 价格
1: ¥45.4704
100: ¥26.2819
1,000: ¥16.6627
998 当前型号
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
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400: ¥3.7722
800: ¥2.98
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¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
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阶梯数 价格
210: ¥11.8807
400: ¥10.0684
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