RSQ045N03HZGTR 与 RQ6E045SNTR 区别
| 型号 | RSQ045N03HZGTR | RQ6E045SNTR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RSQ045N03HZGTR | A3-RQ6E045SNTR |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 950mW(Ta) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 950mW(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 38mOhms@4.5A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 520pF @ 10V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V@1mA |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TSMT6(SC-95) | TSOT-23-6 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 4.5A(Ta) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 38 毫欧 @ 4.5A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 栅极电荷Qg | - | 9.5nC@5V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 4.5A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 9.5nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 100 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RSQ045N03HZGTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RQ6E045SNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 30V |
￥2.8844
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2,969 | 对比 | ||||||||||||
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RQ6E045SNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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RQ6E045SNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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