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RTQ020N03TR  与  DMN3033LDM-7  区别

型号 RTQ020N03TR DMN3033LDM-7
唯样编号 A-RTQ020N03TR A36-DMN3033LDM-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 125mΩ@2A,4.5V 33mΩ@6.9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs 12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 SOT-26
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A(Ta) 6.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 135pF @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.3nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 100 9,151
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥4.6253
100+ :  ¥2.6225
1,500+ :  ¥1.6627
3,000+ :  ¥1.2387
90+ :  ¥0.5731
200+ :  ¥0.3952
1,500+ :  ¥0.3599
3,000+ :  ¥0.336
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta)

¥4.6253 

阶梯数 价格
1: ¥4.6253
100: ¥2.6225
1,500: ¥1.6627
3,000: ¥1.2387
100 当前型号
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
IRLMS1503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.2A,10V N-Channel 30V 3.2A Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 0 对比
NTGS4141NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT23-6

暂无价格 0 对比
IRFTS8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 19mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 8.2A 30V 6-TSOP

暂无价格 0 对比
AO6400 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V ±12V 6.9A 2W 28mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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