RUC002N05T116 与 BSN20-7 区别
| 型号 | RUC002N05T116 | BSN20-7 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RUC002N05T116 | A3-BSN20-7 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | RUC002N05 Series 50 V ± 200 mA 2.2 Ohm N-Channel Mosfet - SOT-23-3 (SST3) | MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.2Ω@200mA,4.5V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 50V | 50V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 200mW(Ta) | 600mW(Ta) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 1.8Ω@220mA,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 40 pF @ 10 V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 0.8 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.2A | 500mA(Ta) | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | - | ||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.2V,4.5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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RUC002N05T116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 200mW(Ta) 2.2Ω@200mA,4.5V 150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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DMN5L06K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 350mW(Ta) 2Ω@50mA,5V -65°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMN5L06K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 350mW(Ta) 2Ω@50mA,5V -65°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BSN20-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 600mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 50V 500mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BSN20-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 600mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 50V 500mA(Ta) |
￥0.3024
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0 | 对比 |
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