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SCT3030ALGC11  与  IPW60R041P6  区别

型号 SCT3030ALGC11 IPW60R041P6
唯样编号 A-SCT3030ALGC11 A-IPW60R041P6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3030AL Series 650 V 70 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@27A,18V 37mΩ
上升时间 - 27ns
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 262W(Tc) 481W
Qg-栅极电荷 - 170nC
栅极电压Vgs +22V,-4V 20V
典型关闭延迟时间 - 90ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 70A(Tc) 77.5A
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSP6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 13.3mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1526pF @ 500V -
长度 - 16.13mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 104nC @ 18V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 29ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
150+ :  ¥176.2845
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

¥176.2845 

阶梯数 价格
150: ¥176.2845
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