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SCT3030KLGC11  与  IMW120R030M1HXKSA1  区别

型号 SCT3030KLGC11 IMW120R030M1HXKSA1
唯样编号 A-SCT3030KLGC11 A-IMW120R030M1HXKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3030KL Series 1200 V 72 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@27A,18V -
技术 - SiCFET(碳化硅)
漏源极电压Vds 1200V -
Pd-功率耗散(Max) 339W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2.12nF @ 800V
栅极电压Vgs +22V,-4V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 72A(Tc) -
工作温度 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5.7V @ 10mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 18V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 13.3mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2222pF @ 800V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 131nC @ 18V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 40 毫欧 @ 25A,18V
Vgs(最大值) - +23V,-7V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 56A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V,18V
漏源电压(Vdss) - 1.2kV
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3030KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

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