SCT3080ALGC11 与 STW33N60M2 区别
| 型号 | SCT3080ALGC11 | STW33N60M2 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SCT3080ALGC11 | A-STW33N60M2 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | SiC MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N | Single N-Channel 600 V 0.125 Ohm 45.5 nC 190 W Flange Mount Mosfet - TO-247-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 104mΩ@10A,18V | - |
| 漏源极电压Vds | 650V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 134W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-247N | TO-247-3 |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 30A | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 5mA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 571pF @ 500V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 18V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STW33N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW60R125CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A TO-247 N-Channel 600V 125mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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