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SCT3120ALGC11  与  FCH170N60  区别

型号 SCT3120ALGC11 FCH170N60
唯样编号 A-SCT3120ALGC11 A-FCH170N60
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 156mΩ@6.7A,18V 170m Ohms@11A,10V
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 103W(Tc) 227W(Tc)
栅极电压Vgs +22V,-4V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id 21A(Tc) 22A
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 3.33mA 3.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 500V 2860pF @ 380V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 18V 55nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3120ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
FCH170N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 TO-247

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