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SH8J65TB1  与  DMP3028LSD-13  区别

型号 SH8J65TB1 DMP3028LSD-13
唯样编号 A-SH8J65TB1 A-DMP3028LSD-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@7A,10V 25mΩ
上升时间 - 17.1ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.7W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs - 1V
典型关闭延迟时间 - 60.5ns
正向跨导 - 最小值 - 11S
封装/外壳 8-SOP SO
连续漏极电流Id 7A 6A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMP3028
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1241pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.9nC @ 10V
下降时间 - 40.4ns
典型接通延迟时间 - 9.7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 5V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥17.421
100+ :  ¥10.0693
1,250+ :  ¥6.384
2,500+ :  ¥4.6156
暂无价格
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SH8J65TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOP

¥17.421 

阶梯数 价格
1: ¥17.421
100: ¥10.0693
1,250: ¥6.384
2,500: ¥4.6156
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