首页 > 商品目录 > > > > SH8K32TB1代替型号比较

SH8K32TB1  与  DMN6066SSD-13  区别

型号 SH8K32TB1 DMN6066SSD-13
唯样编号 A-SH8K32TB1 A-DMN6066SSD-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@4.5A,10V 66mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.8W
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SO
连续漏极电流Id 4.5A 4.4A
工作温度 150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.3nC @ 10V
栅极电荷Qg 10nC@5V -
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.8916
1,000+ :  ¥7.1125
2,500+ :  ¥5.0499
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥13.8916 

阶梯数 价格
1: ¥13.8916
1,000: ¥7.1125
2,500: ¥5.0499
2,500 当前型号
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 对比
IRF7341 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售